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深圳市凯斯宇科技有限公司
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产品信息
本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：通孔
封装/箱体：TO-220FP-5
晶体管极性：N沟道
通道数量：2频道
Vds-漏源极击穿电压：100 V
Id-连续直流电流：11 A
Rds上漏源导通电阻：58毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-血浆甲醛：12 nC
工作温度：-55 C
Pd-功率耗散：18 W
通道模式：增强
封装：Tube
配置：双
高度：16.15毫米
长度：10.65毫米
晶体管类型：2 N沟道
宽度：4.85毫米
商标：Infineon Technologies
下降时间：4.3 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：8.3 ns
工厂包装数量：1000
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：9.5 ns
典型起始延迟时间：4.7 ns
零件号别名：IRFI4212H-117P SP001560448
单位重量：6 g
特征
•集成半桥套件
•零件数量减少一半
•促进更好的PCB布局
•针对D类音频放大器应用优化的关键参数
•低RDS（ON）可提高效率
•Qg和Qsw低，以获得更好的THD和
提高效率
•低Qrr可获得更好的THD和更低的EMI
•在半桥配置放大器中，可以将每通道高达150W的功率传输到4负载中
•无铅包装
描述
此数字音频MosFET半桥是专门为D类音频放大器应用而设计的。
它由两个以半桥配置连接的功率MosFET开关组成。
工艺用于实现每个硅面积的低导通电阻。
此外，优化了栅极电荷，体二极管反向恢复和内部栅极电阻，
以改善D类音频放大器的关键性能指标，例如效率，THD和EMI。
这些结合在一起使该半桥成为用于D类音频放大器应用的高效，坚固和可靠的设备。
额定值
|
|
Parameter |
Max. |
Units |
|
VDS |
Drain-to-Source Voltage |
100 |
V |
|
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
±20 |
|
|
ID @ TC = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
11 |
A |
|
ID @ TC = 100°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
6.8 |
|
|
IDM |
Pulsed Drain Current CD |
44 |
|
|
PD @TC = 25°C |
Power Dissipation ® |
18 |
W |
|
PD @TC = 100°C |
Power Dissipation ® |
7.0 |
|
|
|
Linear Derating Factor |
0.14 |
W/°C |
|
EAS |
Single Pulse Avalanche Energy@ |
41 |
mJ |
|
TJ TSTG |
Operating Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 150 |
°C |
|
|
Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case) |
300 |
|
|
|
Mounting torque, 6-32 or M3 screw |
10lb·in (1.1N·m) |
|