- 非IC关键词
深圳市凯斯宇科技有限公司
- 卖家积分：
营业执照：已审核经营模式：贸易/代理/分销所在地区：广东 深圳企业网站：
http://www.szksykj.com/
收藏本公司 人气：979812
企业档案
- 相关证件：
- 会员类型：
- 会员年限：14年
- 张凯
- 电话：0755-28892811
- 手机：13717085518
- 阿库IM：
- 地址：深圳市福田区振华路深纺大厦C座西六楼
- 传真：0755-28892811
- E-mail：szksy82@126.com
询价相关产品
产品信息
本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：SOT-23-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：30 V
Id-连续直流电流：1.2 A
漏源导通电阻：400 mOhms
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-萘甲酸：3.3 nC
钯-功率耗散：540 mW
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：1.1毫米
长度：2.9毫米
产品：MOSFET小信号
晶体管类型：1 N沟道
宽度：1.3毫米
商标：Infineon / IR
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：3000
子类别：MOSFET
零件号别名：IRLML2803TRPBF SP001572964
单位重量：8毫克
特征
•第五代技术
•超低导通电阻
•N沟道MOSFET
•SOT-23足迹
•薄型{<1.1mm）
•提供卷带包装
•快速切换
•无铅
•符合RoHS，无卤素
描述
国际整流器公司的第五代HEXFET采用先进的处理技术，
可实现每硅面积极低的导通电阻。 这项优势与HEXFET
功率MOFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器
件设计相结合，为设计人员提供了一种极其有效和可靠
的器件，可广泛用于各种应用中。
一个定制的引线框已被纳入标准的SOT-23封装中，以生
产具有业界尺寸的HEXFET功率MOFET。 这个被称
为Micro3的封装非常适合印刷电路板空间非常宝贵的应用。
Micro3的薄型（<1.1mm）使它可以轻松地适应极薄的应
用环境，例如便携式电子设备和PCMCIA卡。
额定值
|
|
Parameter |
Max. |
Units |
|
ID @ TA = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
1.2 |
A |
|
ID @ TA = 70°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
0.93 |
|
|
IDM |
Pulsed Drain Current CD |
7.3 |
|
|
PD @TA = 25°C |
Power Dissipation |
540 |
mW |
|
|
Linear Derating Factor |
4.3 |
mW/°C |
|
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
±20 |
V |
|
EAS |
Single Pulse Avalanche Energy� |
3.9 |
mJ |
|
dv/dt |
Peak diode Recovery dv/dtQ) |
5.0 |
V/ns |
|
TJ ,TSTG |
Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 150 |
°C |