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深圳市凯斯宇科技有限公司
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产品信息
本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：SOT-23-3
晶体管极性：P-Channel
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：20 V
Id-连续直流电流：620 mA
Rds上漏源导通电阻：600毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：12 V
Qg-血浆甲醛：2.4 nC
钯-功率耗散：540 mW
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：1.1毫米
长度：2.9毫米
产品：MOSFET小信号
晶体管类型：1 P通道
宽度：1.3毫米
商标：Infineon Technologies
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：3000
子类别：MOSFET
零件号别名：IRLML6302TRPBF SP001574060
单位重量：8毫克
•第五代技术
•超低导通电阻
•P沟道MOSFET
•SOT-23足迹
•薄型{<1.1mm）
•提供卷带包装
•快速切换
•无铅
•符合RoHS，无卤素
描述
国际整流器公司的第五代HEXFET采用先进的处理技术，以实现极低的每硅面积导通电阻。 这项优势与HEXFET功率MSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合，为设计人员提供了一种极其有效和可靠的器件，可广泛用于各种应用中。
一个定制的引线框已被纳入标准的SOT-23封装中，以生产具有业界尺寸的HEXFET功率MSFET。 这个被称为Micro3的封装非常适合印刷电路板空间非常宝贵的应用。 Micro3的薄型（<1.1mm）使它可以轻松地适应极薄的应用环境，例如便携式电子设备和PCMCIA卡。
额定值
|
|
Parameter |
Max. |
Units |
|
ID @ TA = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ -4.5V |
-0.78 |
|
|
ID @ TA = 70°C |
Continuous Drain Current, VGS @ -4.5V |
-0.62 |
A |
|
IDM |
Pulsed Drain Current CD |
-4.9 |
|
|
PD @TA = 25°C |
Power Dissipation |
540 |
mW |
|
|
Linear Derating Factor |
4.3 |
mW/°C |
|
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
士 12 |
V |
|
dv/dt |
Peak Diode Recovery dv/dt 0 |
-5.0 |
V/ns |
|
TJ, TSTG |
Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 150 |
°C |